- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录122 > BAT86,113 (NXP Semiconductors)DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34
     NXP Semiconductors BAT86 Schottky barrier single diode BAT86 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 25 July 2012 3 / 8 7. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF = 0.1 mA; T amb = 25 °C - - 300 mV IF = 1 mA; T amb = 25 °C - - 380 mV IF = 10 mA; T amb = 25 °C - - 450 mV IF = 30 mA; T amb = 25 °C - - 600 mV VF forward voltage IF = 100 mA; T amb = 25 °C - - 900 mV IR reverse current VR = 40 V; T amb = 25 °C; pulsed; tp = 300 μs; δ = 0.02 - - 5 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; T amb = 25 °C; V R = 1 V - - 8 pF trr reverse recovery time IF = 10 mA; I R = 10 mA; R L = 100 Ω; IR(meas) = 1 mA; T amb = 25 °C - - 4 ns 1.2 0.8 0.4 0 VF (V) IF (mA) 103 102 10 1 10-1 mld357 (1) (2) (3) (1) (2) (3) (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values mgc686 105 IR 104 (nA) 103 102 10-1 0 10 1 50 V) 10 20 30 40 VR ( (1) (2) (3) (1) Tamb = 85 °C (2) Tamb = 25 °C (3) Tamb = ?40 °C Fig. 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values |